电子全部位于导带底,空穴全部位于价带顶
举一反三
- I 型超晶格是指？ A: 窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中。 B: 一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的。 C: 一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中。 D: 窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中。
- 本征半导体的特点是（） A: 电子和空穴浓度相等 B: 电子和空穴浓度不相等 C: 费米能级处于导带底和价带顶的中间 D: 费米能级处于价带底和导带顶的中间。
- Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置
- n型半导体中杂质能级一般位于半导体能带中什么位置(<br/>) A: 禁带中央附近 B: 导带底下方,靠近导带底 C: 价带顶上方,靠近价带顶 D: 导带中,靠近导带底
- Ec 称为价带顶，它是价带电子的最高能量。Ev 称为导带底，它是导带电子的最低能量。