中国大学MOOC: 由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
举一反三
- 中国大学MOOC: 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出 的充放电效应。（ ） A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。 A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 中国大学MOOC: 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生，基极电流的相位__于发射极电流的变化（ ）。
- 引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。 A: 发射结正偏电压变化 B: 集电结反偏电压变化 C: 基区少子浓度梯度变化 D: 发射结势垒宽度变化