半导体生产中离子注入的常见的应用包括:
A: 阈值电压调整
B: 浅结注入
C: 埋层注入
D: SOI绝缘层
A: 阈值电压调整
B: 浅结注入
C: 埋层注入
D: SOI绝缘层
举一反三
- 下列哪种工艺方法可以形成超浅结： A: 低能离子注入 B: 低温扩散 C: 隔着氧化层注入 D: 分子注入法
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主