离子注入主要部件有哪些？
举一反三
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
- 离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘所决定的。( )
- 离子注入控制电参量，故易于精确控制注入离子的密度分布、浓度分布可以通过改变注入能量加以控制。
- 离子注入系统中,从离子源引出的各种离子中分析出所需要注入的离子,成为单一元素的离子束的部件是 A: 离子源 B: 聚焦系统 C: 中性束流陷阱 D: 磁分析器