半导体硅单晶锭加工制备成晶片，根据晶片质量管理的要求需要利用四探针测试装置对( )进行检测。
A: 硅片厚度
B: 硅片平整度
C: 硅片薄层电阻
D: 硅片杂质浓度
A: 硅片厚度
B: 硅片平整度
C: 硅片薄层电阻
D: 硅片杂质浓度
C
举一反三
内容
- 0
将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。 A: A10 B: B20 C: C5 D: D15
- 1
将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。 A: 10 B: 20 C: 5 D: 15
- 2
清洗硅片的原则是去除硅片表面的杂质和沾污和防止再污染。( )
- 3
中国大学MOOC: 清洗硅片的原则是去除硅片表面的杂质和沾污和
- 4
硅片制造完成后，封装之前检验硅片上每个芯片是否合格的测试是