SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制晶体生长速度。
对
举一反三
- SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。 A: 反应温度在280℃~300℃之间 B: 硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥 C: 晶体生长速度 D: 合成时加入少量的催化剂，可降低温度
- 1摩尔晶体硅什么东西,晶体硅不是原子晶体吗?1摩尔晶体硅有多少个硅原子
- 晶体硅中杂质氧主要来源于 A: 外界空气的进入 B: 原材料 C: 随加入惰性气体时进入 D: 晶体生长过程中石英坩埚的污染
- 下面哪种是硅晶体中的点缺陷？ A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中荷一个正电的空位 C: 晶体中的一个空洞 D: 在硅晶体中聚集的痕量碳
- 中国大学MOOC: 熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
内容
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下面哪种是硅晶体中的点缺陷（） A: 硅晶体中的磷杂质 B: 晶体中的带一个正电的空位 C: 硅晶体有少量的钠 D: 层错
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生产过程根据各部分在生产过程中作用不同，可以划分为基本生产过程、（）和生产服务过程。
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晶体在生长过程中也可以产生位错。
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结晶过程包括（）两个阶段。 A: 静置 B: 晶体颗粒变大 C: 成核 D: 晶体生长
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下列对晶体硅的叙述正确的是:() A: 晶体硅没有固定的熔沸点 B: 形成晶体硅的速率越快越好 C: 可用于X—射线衍射实验来鉴别晶体硅和玻璃 D: 晶体硅的形成与晶体的自范性有关，形成的晶体无各向异性