随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
举一反三
- 大马士革工艺为什么能实现铜的布线？ A: 、大马士革采用“镶嵌”的方式避免了铜的刻蚀 B: 、大马士革用了特殊的药水，使铜好刻蚀 C: 、大马士革工艺先做铜膜，在利用绝缘膜绝缘 D: 、以上都不对
- 铜的互连技术普遍采用大马士革工艺，大马士革工艺中用到哪种平坦化技术
- 芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后的图形的刻印以便形成器件互连和多层布线的过程,该工艺称为: A: 光刻 B: 刻蚀 C: 溅射 D: 金属化
- ⑥ 关于大马士革工艺和导入CMP方法的异同错误的是： A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层 B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线 C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术 D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
- 氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。