对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
A: 入射离子的能量
B: 入射离子的质量
C: 入射离子的原子序数
D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度
E: 注入离子的总剂量
A: 入射离子的能量
B: 入射离子的质量
C: 入射离子的原子序数
D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度
E: 注入离子的总剂量
A,B,C,E
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 8-7离子进入工件表面后，与工件内原子和电子发生一系列碰撞。这—系列碰撞主要包括二个独立的过程： A: 质子碰撞：入射离子与工件质子的弹性碰撞。 B: 核碰撞：入射离子与工件原子核的弹性碰撞。 C: 中子碰撞：入射离子与工件中子的弹性碰撞。 D: 电子碰撞：入射离子与工件内电子的非弹性碰撞，其结果可能引起离子激发原子中的电子或使原子获得电子、电离或X射线发射等。
- ④ 从下列选项中选出直流二极溅射成膜的正确过程 A: 、气体放电产生氩离子、金属原子沉积在衬底上、金属靶产生金属原子 B: 、金属靶产生金属原子、气体放电产生氩离子、金属原子沉积在衬底上 C: 、气体放电产生氩离子、金属靶产生金属原子、金属原子沉积在衬底上 D: 、金属原子沉积在衬底上、气体放电产生氩离子、金属靶产生金属原子
内容
- 0
原子或离子的半径越大，密度越小；原子或离子的半径越小，密度就越大
- 1
注入离子能量越高，离子射程越大。
- 2
卢瑟福背散射技术中，入射离子与靶核发生：
- 3
下列原子或离子中，原子轨道能量与角量子数无关的是： A: [img=36x22]18039d15d787653.jpg[/img]离子 B: Li原子 C: [img=33x23]18039d15e3fdfab.jpg[/img]离子 D: B原子
- 4
能够使注入的离子偏转，中性原子被收集的是