a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
举一反三
- 中国大学MOOC: 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
- 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 A: ⑴⑵ B: ⑵⑷ C: ⑴⑵⑷ D: ⑴⑵⑶⑷
- ② 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、RTP CVD
- 以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
- ④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD