3、从熔融硅中生长单晶硅的基本技术称为______ 法。
举一反三
- 以下制作硅片的流程正确的为（ ）。 A: 沙子-熔融-切割-拉单晶-硅晶圆 B: 沙子-熔融-拉单晶-切割-硅晶圆 C: 沙子-切割-熔融-拉单晶-硅晶圆
- 下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
- 3、把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作 。生长后的单晶硅被称为 。
- 硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
- 体硅微细加工技术是以单晶硅为加工对象。()