硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分不包含： 。
A: HF
B: HNO3
C: H2O2
D: H2O
A: HF
B: HNO3
C: H2O2
D: H2O
C
举一反三
- 硅湿法刻蚀常采用的湿法腐蚀液成分包括 A: HF B: H2O2 C: HNO3 D: H2O
- 硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分不包含
- 二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含 A: HF B: NH4F C: H202 D: H2O
- 二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含
- 对于平面3节点三角形单元，单元尺寸为h，则位移的误差是____量级，应变的误差是____量级，应变能的误差是____量级。 A: $O(h^2)，O(h^2)，O(h^4)$ B: $O(h^2)，O(h)，O(h^2)$ C: $O(h^3)，O(h)，O(h^2)$ D: $O(h^3)，O(h^2)，O(h^4)$
内容
- 0
、单选题 1 、下列反应为氧化还原反应的是 ........................................................................... （ ） (A) CH 3 CSNH 2 + H 2 O → CH 3 COONH 4 + H 2 S ； (B) XeF 6 + H 2 O → XeOF 4 + HF ； (C) 2XeF 6 + SiO 2 → SiF 4 + 2XeOF 4 ； (D) XeF 2 + C 6 H 6 → C 6 H 5 F + HF + Xe 。
- 1
大气中HO自由基的来源有（）的光离解。 A: O<sub>3</sub> B: HCHO C: H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> D: HNO<sub>2</sub>
- 2
酸溶法中，具有酸性和氧化性的酸是（）。 A: HCl B: HF C: HNO<sub>3</sub> D: H<sub>2</sub>C<sub>2</sub>O<sub>4</sub>
- 3
【单选题】H 2 O 通电 H 2 ↑ + O 2 ↑ A. 2H 2 O 2H 2 ↑ + 1O 2 ↑ B. 2H 2 O 2H 2 ↑ + O 2 C. 4H 2 O 4H 2 ↑ + 2O 2 ↑ D. 2H 2 O 2H 2 ↑ + O 2 ↑
- 4
下列分子中不能形成氢键的是( )。 A: H<sub>2</sub>O B: H<sub>2</sub>S C: NH<sub>3</sub> D: HF