关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-03 若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hfB.hf>Eg B: hf=Eg 若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（）A: hfB.hf>EgB: hf=Eg 答案： 查看 举一反三 若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） A: hf 若半导体材料的禁带宽度为Eg，要产生光电效应，必须符合（） 入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。 已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2eV，求该半导体材料的本征吸收长波限。直接回复答案，带单位。
