实际晶体中的位错，往往是由于晶体在凝固及生长过程中的位相差、饱和空位的聚集、局部应力集中产生滑移等原因生成
举一反三
- 关于位错的生成说法正确的是 A: 凝固时在在晶体长大相遇处，因位向略有差别而形成 B: 流动液体冲击、冷却时局部应力集中导致位错的萌生 C: 晶体裂纹尖端、沉淀物或夹杂界面、表面损伤处等都易产生应力集中而促使位错产生 D: 过饱和空位的聚集成片也是位错产生的重要来源
- 晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。 A: 空位 B: 晶界 C: 间隙原子 D: 位错
- 晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。 A: 空位 B: 晶界 C: 间隙原子 D: 位错
- 晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。 A: 空位 B: 晶界 C: 间隙原子 D: 位错
- 晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。 A: A空位 B: B晶界 C: C间隙原子 D: D位错