在室温下，n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于（ ）
A: 电离杂质散射
B: 晶格散射
C: 位错散射
D: 电子间散射
A: 电离杂质散射
B: 晶格散射
C: 位错散射
D: 电子间散射
A
举一反三
- 下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- 在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（ ） A: 晶格散射 B: 电离杂质散射 C: 声子散射 D: 固体散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
- 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（ ） A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为： A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
内容
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在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、 （）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
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随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
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由（ ）散射决定的迁移率正比于 T3/2 A: 电离杂质 B: 声子波 C: 光子波 D: 电子间的