• 2022-11-04
    对于非简并半导体,导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为:
  • 抛物线性关系

    内容

    • 0

      下列关于外光电效应表述正确的是: A: 对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和; B: 对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量; C: 对于N型半导体,电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差; D: 对于P型掺杂半导体,电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。

    • 1

      导带底与价带顶之间的能量区域称为

    • 2

      ______ 是导带底与价带顶之间的能量之差。

    • 3

      对于非简并n型半导体,如果杂质浓度一定,则随着温度的升高,EF将逐渐远离( )。 A: 禁带中央 B: 导带底 C: 价带顶 D: 受主能级

    • 4

      导带底与价带顶之间的能量区域称为( )。 A: 价带 B: 导带 C: 禁带 D: 能带