对给定的杂质浓度，电子与空穴的少子迁移率均大于相同杂质浓度下的多子迁移率。
举一反三
- 对给定的杂质浓度，电子与空穴的少子迁移率均大于相同杂质浓度下的多子迁移率。 A: 正确 B: 错误
- 关于电子迁移率，下列说法错误的是 A: 杂质浓度较低时，多子和少子电子迁移率趋近于相同的值 B: 杂质浓度增大时，电子的多子与少子迁移率都单调下降 C: 对给定的杂质浓度，少子迁移率小于相同杂质浓度下的多子迁移率 D: 相同杂质浓度下，少子与多子迁移率的差别随着杂质浓度的增大而增大
- 对于补偿材料,在杂质完全电离情况下,载流子浓度决定于两种杂质浓度之差,但迁移率决定于两种杂质浓度的总和。()
- 杂质半导体中多子浓度取决于（ ），少子浓度主要与（ ）有关。（只填序号） A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、杂质类型
- 杂质半导体中,对温度敏感的是 A: 少子的浓度 B: 多子浓度 C: 杂质离子的浓度 D: 空穴的浓度