硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处
A: ＜110＞
B: ＜100＞
C: ＜111＞
D: [110]
A: ＜110＞
B: ＜100＞
C: ＜111＞
D: [110]
A,A
举一反三
- GaAs的导带极值位于布里渊区( )。 A: 中心 B: 111>方向边界处 C: 100>方向边界处 D: 110>方向边界处
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
- 硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 未知类型：{'options': ['[110]', '[100]', '[111]', '[110]'], 'type': 102}
- 硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
内容
- 0
硅的导带极值位于 A: 布里渊区中心 B: <111>方向 C: <110>方向 D: <100>方向
- 1
常见半导体的价带顶一般位于第一布里渊区中的哪个位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区边界四边形和六边形的边界上
- 2
Si的导带极值位于第一布里渊区内部。
- 3
硅导带结构为( )。 A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
- 4
砷化镓的导带极值位于在布里渊区 。