在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。
A: 电离杂质散射
B: 声学波散射
C: 光学波散射
D: 位错散射
A: 电离杂质散射
B: 声学波散射
C: 光学波散射
D: 位错散射
C
举一反三
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为： A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：（） A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
- 下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- 以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是： A: 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。 B: 在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。 C: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。 D: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低。 E: 声学波散射的散射几率随温度升高而增大；光学波散射的散射几率随温度升高而降低。
内容
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以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是?() A: 可以看作是电子与声子的相互作用 B: 起主要散射作用的是长波,而且是纵波 C: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大 D: 声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低 E: 声学波散射的散射几率随温度升高而增大;光学波散射的散射几率随温度升高而降低 F: 起主要散射作用的是长波,而且是横波
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在室温下，n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 晶格散射 C: 位错散射 D: 合金散射
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在室温下，n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于（ ） A: 电离杂质散射 B: 晶格散射 C: 位错散射 D: 电子间散射
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在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（ ） A: 晶格散射 B: 电离杂质散射 C: 声子散射 D: 固体散射
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光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？