n型半导体低温弱电离时，导带中的电子主要由谁提供
A: 施主杂质电离
B: 本征激发
C: 施主杂质电离和本征激发
D: 二者都不提供
A: 施主杂质电离
B: 本征激发
C: 施主杂质电离和本征激发
D: 二者都不提供
A
举一反三
- 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度,这是因为载流子浓度主要来源于_________,而将_________忽略不计。( ) A: 杂质电离,本征激发 B: 本征激发,杂质电离 C: 施主电离,本征激发 D: 本征激发,受主电离
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。 A: 杂质电离，木征激发 B: 木征激发，杂质电离 C: 施主电离，木征激发 D: 木征激发，受主电离
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是? 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。|施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。|受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。|实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。
内容
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电子直接从价带跃迁到导带的过程称为（）。 A: 本征激发 B: 施主电离 C: 受主电离 D: 载流子复合
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p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 A: 正，电离施主杂质 B: 正，电离施主杂质和空穴 C: 负，电离受主杂质 D: 负，电离受主杂质和电子
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随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
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影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有（） A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射
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以下哪种情况下，半导体为N型的？? 本征半导体中掺入施主杂质。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。|本征半导体中掺入受主杂质。