非平衡载流子的复合大致可以分为自由电子和空穴的直接复合、通过复合中心的间接复合。
举一反三
- 非平衡载流子通过复合中心的复合称为（ ）。 A: 直接复合 B: 间接复合 C: 表面复合 D: 俄歇复合
- 半导体中的载流子复合的途径，不包括（ ） A: 带间电子- 空穴间接复合 B: 通过价带内的复合中心进行复合 C: 带间电子- 空穴直接复合 D: 通过禁带内的复合中心进行复合
- 硅和砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠 A: 直接复合，直接复合 B: 直接复合，间接复合 C: 间接复合，直接复合 D: 间接复合，间接复合
- 非平衡载流子的复合过程大致可分为直接复合及______ 复合
- 间接复合过程中区别直接复合的是,电子-空穴对通过复合中心能级的参与发生复合,成对消失,而复合中心能级上的载流子数目不发生变化。(<br/>)