以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（）浓度迅速增加，形成反型层。
A: 电子
B: 电离施主
C: 空穴
D: 电离受主
A: 电子
B: 电离施主
C: 空穴
D: 电离受主
举一反三
- p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 A: 正，电离施主杂质 B: 正，电离施主杂质和空穴 C: 负，电离受主杂质 D: 负，电离受主杂质和电子
- 金属与p型半导体形成的MIS结构在耗尽状态时Qs的增加主要由加宽的那部分耗尽层中的（ ）承担所致。 A: 电离施主 B: 电离受主 C: 电子 D: 空穴
- 对于p型半导体形成的MIS结构，处于少子反型状态时，空间电荷层内的负电荷是 A: 电离的受主负电荷 B: 反型层中的电子 C: 电离的受主负电荷和反型层中的电子 D: 以上都不对
- p型空间电荷区由（ ）构成。 A: 电子 B: 空穴 C: 带正电的电离施主杂质 D: 带负电的电离受主杂质
- N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。 A: 正，电子积累 B: 负，电子积累 C: 正，空穴反型层 D: 正，电子反型层