某一处于热平衡状态下的非简并半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3，当温度为300 K时杂质已全部电离，已知本征载流子浓度为ni=1015 cm-3，则电子和空穴浓度分别为（） A: n0=2×1015 cm-3，p0=1×1017 cm-3 B: n0=5×1017cm-3，p0=2×1012 cm-3 C: n0=5×1017 cm-3，p0=2×1015 cm-3 D: n0=2×1015 cm-3，p0=5×1015 cm-3

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2022-11-04

某一处于热平衡状态下的非简并半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3，当温度为300 K时杂质已全部电离，已知本征载流子浓度为ni=1015 cm-3，则电子和空穴浓度分别为（） A: n0=2×1015 cm-3，p0=1×1017 cm-3 B: n0=5×1017cm-3，p0=2×1012 cm-3 C: n0=5×1017 cm-3，p0=2×1015 cm-3 D: n0=2×1015 cm-3，p0=5×1015 cm-3

某一处于热平衡状态下的非简并半导体掺有施主杂质浓度为ND=5×1017cm-3，当温度为300 K时杂质已全部电离，已知本征载流子浓度为ni=1015 cm-3，则电子和空穴浓度分别为（）
A: n0=2×1015 cm-3，p0=1×1017 cm-3
B: n0=5×1017cm-3，p0=2×1012 cm-3
C: n0=5×1017 cm-3，p0=2×1015 cm-3
D: n0=2×1015 cm-3，p0=5×1015 cm-3

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举一反三