金属和P型半导体接触时,当金属功函数大于半导体功函数,理想情况下会形成()。
A: 肖特基接触
B: 欧姆接触
A: 肖特基接触
B: 欧姆接触
B
举一反三
- 金属和P型半导体接触时,当金属功函数小于半导体功函数,理想情况下会形成()。 A: 肖特基接触 B: 欧姆接触
- 金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
- 不考虑表面态的影响，当金属与p型半导体接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则会形成阻挡层
- 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。 A: 正确 B: 错误
内容
- 0
中国大学MOOC: 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。
- 1
在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？ A: 金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触 B: 金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触 C: 金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触 D: 金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触 E: 金属和p型半导体接触，形成空穴反阻挡层，即为欧姆接触
- 2
如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层
- 3
不考虑表面态，金属和p型半导体接触，如果金属功函数小于半导体功函数，则称它们接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触曾
- 4
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成电子阻挡层？ A: 金属和n型半导体接触，Wm>Ws B: 金属和n型半导体接触，Wm<Ws C: 金属和p型半导体接触，Wm>Ws D: 金属和p型半导体接触，Wm<Ws