当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积和（ ）有关
A: 杂质类型
B: 禁带宽度
C: 温度
D: 杂质浓度
A: 杂质类型
B: 禁带宽度
C: 温度
D: 杂质浓度
A,D
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举一反三
内容
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热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它与（ ）无关。 A: 温度 B: 禁带宽度 C: 杂质浓度 D: 本征载流子浓度
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热平衡状态，电子浓度和空穴浓度乘积与杂质类型相关。 A: 正确 B: 错误
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杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由 （ ）决定。 A: 温度和禁带宽度 B: 温度和掺杂浓度 C: 温度、掺杂浓度和禁带宽度 D: 掺杂浓度和禁带宽度
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无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。
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杂质半导体中多数载流子的浓度与什么因素有关（ ） A: 温度 B: 掺入杂质的浓度 C: 半导体材料类型