在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
- 掺杂半导体中多数载流子的浓度 A: 高于本征半导体中载流子的浓度 B: 低于本征半导体中载流子的浓度 C: 等于本征半导体中载流子的浓度 D: 无法确定
- 在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，温度越高，浓度越大。
- 在相同温度下,杂质半导体中少数载流子的浓度()本征半导体中载流子浓度。 A: 高于 B: 等于 C: 低于 D: 不确定
内容
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n型半导体在热平衡状态下，导带电子浓度______ 本征载流子浓度，价带空穴浓度______ 本征载流子浓度。费米能级______ 本征费米能级
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热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它与（ ）无关。 A: 温度 B: 禁带宽度 C: 杂质浓度 D: 本征载流子浓度
- 2
室温范围内，影响硅半导体热敏电阻的电阻值的主要因素是： A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 载流子迁移率 D: 本征载流子浓度
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本征半导体的载流子浓度与材料本身性质有关,不同材料半导体的载流子浓度不同。但是与温度无关
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。 A: 杂质浓度 B: 温度 C: 本征半导体 D: 掺杂工艺