对于一定的浅能级掺杂的p型半导体材料，在常温下，掺杂浓度降低将导致禁带宽度 。
A: 增加
B: 不变
C: 减少
D: 不确定
A: 增加
B: 不变
C: 减少
D: 不确定
举一反三
- 2.对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（ ）。 A: 增加 B: 不变 C: 减少
- 在某一温度下,某一p型半导体材料,掺杂浓度降低后,其禁带宽度将: A: 增加 B: 减少 C: 不变 D: 不能确定
- 对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度和本征载流子浓度（ ） A: 增加 B: 减小 C: 不变
- 对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致靠近Ei
- 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动