3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D

2022-11-04

3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF
A: A
B: B
C: C
D: D

答案：

D

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1. 根据质量作用定律表达式n0p0=[img=24x22]180356679c3e4e0.png[/img]，下面正确的说法是（）。A. 温度一定，材料一定，非简并半导体的载流子浓度乘积n0p0一定，与所含杂质无关B. 温度一定，材料一定，半导体的载流子浓度乘积一定，与简并与否及所含杂质无关C. 温度一定，材料一定，半导体的本征载流子浓度ni一定，ni的值取决于EgD. 对确定的半导体材料，其本征载流子浓度ni取决于温度，因为Eg具有负温度系数E. 温度一定，不同半导体材料的本征载流子浓度ni不同是因为Eg各不相同 A: A B: B C: C D: D E: E
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杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。 a．杂质浓度； b．温度； c．电流； d．电压。 A: a B: b C: c D: d
2
对于一定的N型半导体，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 A: 上移 B: 下移 C: 不变 D: 不确定
3
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
4
对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei

3. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少杂质浓度，将导致（ ）靠近Ei。A. Ec B. Ev C. Eg D. EF A: A B: B C: C D: D