锗二极管的正向导通区电压在（）V。
A: 0.7
B: 0.5
C: 0.3
D: 0.2
A: 0.7
B: 0.5
C: 0.3
D: 0.2
举一反三
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 对于硅二极管其正向导通电压一般为（）V A: 0.2 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.7 D: 0.9
- 2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9