关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-30 单边突变结的（ ）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 A: 内建电势 B: 耗尽区宽度 C: 最大电场 D: 势垒高度 单边突变结的（ ）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。A: 内建电势B: 耗尽区宽度C: 最大电场D: 势垒高度 答案： 查看 举一反三 单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 中国大学MOOC: 单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要分布在轻掺杂的半导体一侧。(<br/>)
