关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-31 参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。 参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。 答案： 查看 举一反三 制备了一批突变pn结，给每个pn结不断增加反偏电压的值，直到pn结击穿。有的pn结发生雪崩击穿，有的pn结发生齐纳击穿。pn结发生雪崩击穿的电压普遍高于发生齐纳击穿的电压。 PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。 PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR( ) PN结雪崩击穿电压随温度的增加略有增加。 10、PN结雪崩倍增因子M→1时，PN结发生雪崩击穿。
