杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
举一反三
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动声子的散射概率 ( ) A: 变小 B: 变大 C: 不变 D: 不确定
- 半导体中的载流子在输运过程中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
- 中国大学MOOC: 如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（ ）。
- 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，晶格振动散射概率和对应的迁移率分别是（ ） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大