中国大学MOOC: 从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。
举一反三
- 从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。 未知类型：{'options': ['复合损失使[img=24x24]1803ab5d29991a7.png[/img]小于1', '时间延迟使相位滞后', '渡越时间的分散使[img=35x25]1803ab5d31c6f24.png[/img]减小', '渡越时间的分散使[img=35x25]1803ab5d31c6f24.png[/img]增大'], 'type': 102}
- 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
- 中国大学MOOC: 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
- 中国大学MOOC: 关于双极型晶体管中基区少子寿命tnb和基区渡越时间tb之间大小关系,下列说法中正确的是
- 在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。