N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。
电子
举一反三
内容
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中国大学MOOC:"N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。";
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场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是（ ）。 A: 少子 B: 多子 C: 两种载流子 D: 正负离子
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N 沟道 MOSFET涉及到______的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 离子
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N沟道MOSFET涉及到（）的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 正负离子
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在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。