某场效应管的电路符号如图1-2所示,该管为(
)。
A: P沟道增强型MOS管
B: P沟道耗尽型MOS管
C: N沟道增强型MOS管
D: N沟道耗尽型MOS管
)。
A: P沟道增强型MOS管
B: P沟道耗尽型MOS管
C: N沟道增强型MOS管
D: N沟道耗尽型MOS管
B
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举一反三
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。 A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 【单选题】某 MOS 场效应管的转移特性如图 所示,则该 MOS 管为()。 A. 增强型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 C. 增强型 P 沟道 MOS 管 D. 耗尽型 P 沟道 MOS 管
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
内容
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某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803c706faac2d1.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
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某场效应管的特性曲线如图所示，该管为： A: P沟道增强型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道结型场效应管 D: N沟道耗尽型MOS管
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某场效应管的输出特性如图所示，该管为( )[img=267x206]17d607956294f2f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
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某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。 A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管
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【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管