某场效应管的电路符号如图1-2所示,该管为(
)。
A: P沟道增强型MOS管
B: P沟道耗尽型MOS管
C: N沟道增强型MOS管
D: N沟道耗尽型MOS管
)。
A: P沟道增强型MOS管
B: P沟道耗尽型MOS管
C: N沟道增强型MOS管
D: N沟道耗尽型MOS管
举一反三
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。 A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 【单选题】某 MOS 场效应管的转移特性如图 所示,则该 MOS 管为()。 A. 增强型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 C. 增强型 P 沟道 MOS 管 D. 耗尽型 P 沟道 MOS 管
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管