某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A: N沟道结型管
B: P沟道结型管
C: 耗尽型PMOS管
D: 耗尽型NMOS管
E: 增强型PMOS管
F: 增强型NMOS管
A: N沟道结型管
B: P沟道结型管
C: 耗尽型PMOS管
D: 耗尽型NMOS管
E: 增强型PMOS管
F: 增强型NMOS管
举一反三
- 某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则此场效管为( )。 A: 耗尽型PMOS B: 耗尽型NMOS C: 增强型PMOS D: P沟道结型管
- 某场效应管的为6mA,而自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。 A: P沟道结型管 B: N沟道结型管 C: 增强型PMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（） A: N沟道JFET B: 增强型PMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 下列场效应管中,无原始导电沟道的是( )。 A: P沟道JFET B: 增强型NMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管