下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。
A: 当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。
B: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
C: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。
D: 当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
A: 当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。
B: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
C: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。
D: 当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
