关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-02 (南京大学2008年考研试题)氧化磷酸化的化学渗透学说认为线粒体内膜对ADP渗透性的变化是形成ATP的原因。 (南京大学2008年考研试题)氧化磷酸化的化学渗透学说认为线粒体内膜对ADP渗透性的变化是形成ATP的原因。 答案： 查看 举一反三 氧化磷酸化的化学渗透学说认为线粒体内膜对ADP渗透性的变化是形成ATP的原因。 依据化学渗透学说，呼吸链氧化磷酸化ATP的合成部位是( )。 A: 线粒体内膜上ATP合酶 B: UQ C: 线粒体间质 D: 线粒体基质 化学渗透学说认为，线粒体内膜两侧的H+浓度差是驱动ATP形成的原因。在25℃及标准状态下，计算形成1个高能磷酸键时，线粒体内膜两侧所需的pH差值。 化学渗透假说认为（）是驱使ADP磷酸化合成ATP的动力。 化学渗透学说认为ATP合成的能量来自线粒体内膜两侧的质子梯度。（ ）
