平行板电容器的电容为,两极板上电压变化率为,若忽略边缘效应,则该电容器中的位移电流为cca163f84bd563731b422ebaa1e0a46c.gif336adaca28559af4d43a6353ac1fea50.gif
举一反三
- 平行板电容器的电容为C = 20μF，两极板上电压变化率为dU/dt=1.5×http://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_c14b8e3b-185c-4cc1-9237-dc857b133ca0.pngV/s，若忽略边缘效应，则该电容器中的位移电流为
- 将平行板电容器两极分别与电源两极相连,若使电容器两极板间距减小,则() A: 电容器电容减小 B: 电容器电容增大 C: 极板带电量增大 D: 极板上电压减小
- 有一个电容器，其电容为50μF，加在电容器两极板之间的电压为500V，则该电容器极板上储存的电荷为(____)C。 A: 0.025 B: 0.25 C: 0.45 D: 1
- 加在平行板电容器上的电压变化率为 ，若该电容器的电容 ，则两板间的位移电流强度为（ ）。[电子科技大学2005研]
- 中国大学MOOC: 已知一平行板电容器的电容为C，两极板间的电势差U随时间变化。若不考虑边缘效应，则两极板间的位移电流为[ ]。