当光照射在PN结时，如果光子能量小于半导体禁带宽度（E0 < Eg）,可激发出电子——空穴对。（ ）
举一反三
- 入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。
- 当光子能量hγ大于组成pn半导体的 （文字表达）时，才能激发出电子空穴对
- 当光照射到半导体上时，半导体材料将吸收光子能量产生电子空穴对。产生在PN结有效扩散长度内的电子空穴对将被内建电场分离，电子被拉向P区一侧，空穴被推向N区一侧，进而产生光生电势差。
- 硅光电池是在N型硅片上渗入形成一个PN结附近激发出光生电子、空穴对时，由PN结将光生电子、空穴对进行漂移，使PN结两边半导体产生。
- 关于“光注入”，以下说法错误的是： A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度 C: 非平衡电子和空穴成对产生 D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子