中国大学MOOC: 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。
举一反三
- 当高能离子进入到硅片后，由于碰撞作用，使晶格原子离开原来的位置，出现晶格损伤。 A: 正确 B: 错误
- 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。 A: 电活性 B: 晶格损伤 C: 横向效应 D: 沟道效应
- 中国大学MOOC: 在晶格热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置后，挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而在原来位置上形成空位，这种缺陷称为（ ）。
- 当晶体热振动导致部分原子离开平衡位置进入晶格间隙，在原位置留下空位，形成肖特基缺陷。
- 中国大学MOOC:固溶体中溶质原子位于晶格的间隙位置