智慧职教: 5. 采用特定制造工艺，在同一块半导体的两边分别形成P型和N型半导体，在没有外电场作用时，P型和N型半导体，交界面处就会形成一个极薄的空间电荷区, 该空间电荷区称为 [填空(1)]
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PN结
举一反三
- 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面形成空间电荷区称为（）。
- P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。
- 在一块本征半导体上,通过特殊的加工工艺使其一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体,P型半导体和N为型半导体的交界处所形成的很薄的空间电荷区,就是PN结。
- 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
- 当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，该区域可称为( )。 A: 阻挡层 B: 空间电荷区 C: 耗尽层 D: 突变层
内容
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N型半导体和P型半导体结合在一起形成的称为PN结（） A: 交界面 B: 负电荷区域 C: 空间电荷区 D: 正电荷区域
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同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,在它们的交界面处形成的特殊区域称为PN结。
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在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，由于存在浓度差，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就会形成
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利用特殊的工艺把一块P型半导体和一块N型半导体连接到一起后，在它们的交界面就会形成
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当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域? A: 阻挡层 B: 耗尽层 C: 空间电荷区 D: 突变层