为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄?
答:由于基区和发射区载流子是不同类型的，因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后，要与基区的多数载流子复合。为使较多的载流子到达集电区，发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区，因而基区要做得薄一些。 另外，基区的多数载流子浓度要较小，即掺杂浓度要小。
举一反三
- 14.5.4为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做得很薄？
- 为什么晶体管基区掺杂浓度低而且做得很薄？
- 晶体管的 _______ 区掺杂浓度小而且做得很薄。
- BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
- 从提高三极管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，掺杂浓度很低外，工艺上还要采取如下措施中的（ ）。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
内容
- 0
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄。（)
- 1
三极管具有放大作用的内部条件是基区一定要做的很薄且掺杂浓度高。
- 2
从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（）。 A: 发射区低掺杂 B: 发射区高掺杂 C: 基区很薄，且掺杂浓度较低 D: 基区较厚，且高掺杂
- 3
三极管的发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
- 4
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂