p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。
A: 上升靠近导带底
B: 下降靠近价带顶
C: 不变
D: 上升靠近本征费米能级
A: 上升靠近导带底
B: 下降靠近价带顶
C: 不变
D: 上升靠近本征费米能级
举一反三
- 只掺受主的p型半导体,在强电离区,费米能级随着温度升高如何变化?(<br/>) A: 单调下降向本征费米能级靠近; B: 单调上升向本征费米能级靠近; C: 先上升后下降,逐渐向本征费米能级靠近; D: 先下降后上升,逐渐向本征费米能级靠近;
- n型半导体，随着掺杂浓度减少，费米能级（ ）。 A: 向导带底靠近 B: 向下朝禁带中央靠近 C: 向下朝价带顶靠近 D: 向上朝禁带中央靠近
- N型半导体的费米能级越靠近导带底，说明半导体的掺杂浓度越高。
- 费米能级EF随着掺杂浓度变化的描述不正确的是（ ） A: 随着掺杂水平的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近。 B: 随着掺杂水平的提高，p型半导体的费米能级逐渐向价带靠近 C: 掺杂浓度要满足玻尔兹曼近似的假设 D: 以上描述都不正确
- 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（） A: 费米能级靠近导带底 B: 空穴为多子 C: 电子为少子 D: 费米能级靠近靠近于价带顶