半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子-空穴对复合的过程,辐射复合又包括()。
A: 自发辐射复合
B: 受激辐射复合
C: 直接辐射复合
D: 间接辐射复合
A: 自发辐射复合
B: 受激辐射复合
C: 直接辐射复合
D: 间接辐射复合
举一反三
- 半导体激光器的发光过程是基于()。 A: 自发辐射发光 B: 受激辐射发光 C: 复合发光 D: 激子发光
- 导带中的电子跃迁到价带，与价带中的空穴进行复合是（ ）。 A: 直接复合 B: 间接复合 C: 辐射复合 D: 俄歇复合
- 深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。(<br/>)
- 如果电子和空穴复合时,把多余的能量传递给第三个载流子,使它在导带或价带内部激发,然后,第三个载流子在能带的连续态中做多声子发射跃迁,来耗散多余的能量而回到初始状态,这种非辐射复合的过程称为()。 A: 辐射复合 B: 非辐射复合 C: 俄歇复合
- 辐射复合过程中，直接跃迁的发光效率比间接跃迁要高得多。