本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质，为（ ）型半导体。
A: 空穴
B: 电子
C: 受主
D: p型
A: 空穴
B: 电子
C: 受主
D: p型
举一反三
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 本征锗中掺入III价元素杂质，为（ ）型半导体。 A: 空穴 B: 施主 C: 电子 D: n型
- 在本征半导体硅中掺入3价元素，形成多数载流子为空穴的半导体称为P型半导体。
- 在本征半导体中掺入三价元素后形成以空穴为多数载流子的杂质半导体称为 A: N型半导体 B: P型半导体 C: 本征半导体 D: 杂质半导体
- 本征半导体掺入五价元素后成为 。P型半导体中的多数载流子是 。 A: N型半导体 B: P型半导体 C: 空穴 D: 电子