除气、氧化的方法是
A: 低于体瓷烧结愠度6～8℃
B: 高于体瓷烧结温度10℃
C: 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D: 形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E: 防止磨料成分污染金属表面
A: 低于体瓷烧结愠度6～8℃
B: 高于体瓷烧结温度10℃
C: 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D: 形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E: 防止磨料成分污染金属表面
举一反三
- 釉液上釉的烧结温度是：（） A: 低于体瓷烧结温度5℃ B: 低于体瓷烧结温度10℃ C: 高于体瓷烧结温度5℃ D: 高于体瓷烧结温度10℃ E: 以上均不对
- A1/A2型题 某技师在遮色瓷烧结完成后发现金-瓷结合界面上出现许多微小气泡，其可能的原因是（） A: 金属基底表面氧化层过薄 B: 金属基底表面氧化膜过厚 C: 金属基底表面残留有油脂 D: 瓷粉烧结时真空度不够 E: 大气中烧结
- 某技术员在进行金-瓷修复体基底冠表面粗化及预氧化处理后，不慎用手触摸了金属表面，使表面污染，最易导致金-瓷修复体 A: 出现瓷气泡 B: 瓷结合不良 C: 不透明瓷层出现裂纹 D: 瓷表面裂纹 E: 金属氧化膜过厚
- 若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（）。
- B1型题 金属烤瓷修复体的瓷层反复多次烧结的结果之一将是（）。 A: 质地如鸡蛋壳表面 B: 考虑到瓷层的收缩以及形状空间 C: 利于瓷层修整补充及与金属结合，获得最佳的颜色效果 D: 表面为高度光滑 E: 增加瓷的热膨胀系数