（单选题）P型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于
A: 满带中。
B: 导带中。
C: 禁带中，但接近导带底。
D: 禁带中，但接近满带顶。
A: 满带中。
B: 导带中。
C: 禁带中，但接近导带底。
D: 禁带中，但接近满带顶。
举一反三
- p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于 A: 满带中 满带中 B: 导带中 C: 禁带中，但接近满带顶 D: 禁带中，但接近导带底
- [tex=0.5x1.0]Ft8KOBgb78fnKY0jEt4Rsg==[/tex] 型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)在能带结构中处于 A: 满带中 B: 导带中 C: 禁带中，但接近满带顶 D: 禁带中,但接近导带底
- [tex=0.643x1.0]+NBI8Pm2vVS+bGgOpHKyOA==[/tex] 型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带结构中处于 未知类型：{'options': ['满带中', '导带中', '禁带中，但接近满带顶', '禁带中，但接近导带底'], 'type': 102}
- p型半导体的受主能级，在能级结构中处于 A: 满带中 B: 导带中 C: 禁带中，接近导带底部。 D: 禁带中，接近满带顶部。
- p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于禁带中，但接近满带顶。