DMOSFET在栅源电压为0时，漏区与源区之间依然有导电沟道存在。
对
举一反三
内容
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电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
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增强型MOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
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增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。
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电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
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当场效应管的漏源之间存在导电沟道时，漏极处夹断后，管子进入恒流区。（ ） A: 对 B: 错