普通Si二极管的导通电压的典型值约为（ ）伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为（ ）伏
举一反三
- 【填空题】当加在二极管上的正向电压超过 () 电压 ( 硅管约为 () 伏 , 锗管约为 () 伏 ) 时 , 电流才随正向偏压的升高而迅速增大 , 二极管进入 () 状态 , 二极管正常导通后 , 其两端电压近于定值 , 硅管的正向压降约为 (), 锗管的正向压降约为 () 伏 .
- 14.3.1二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少伏？
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 硅二极管的死区电压约为__1__伏,锗二极管的死区电压约为 __2__伏。