突变耗尽层条件中，注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运动。（ ）
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 突变耗尽层条件中，注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运动。（ ）
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（ ）区向（ ）区进行扩散，N型半导体中的多数载流了由（ ）区向（ ）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（ ），其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的( )起削弱作用,对少子的( )起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，( )形成。
- 空间电荷区产生由N区指向P区的电场称为____,它阻碍多数载流子的扩散,但它有利于少数载流子穿过PN结。
- 影响PIN光电二极管响应时间的主要因素有（ ）。 A: 外电路的时间常数 B: 光生载流子在耗尽层的渡越时间 C: 光生载流子在有源区的复合发光 D: 光生载流子在P区、N区的扩散时间
- 在PN结的扩散运动中,P型半导体中载流子( ) 向N区进行扩散。 A: 空穴 B: 自由电子 C: 杂质